在了（le）解（jiě）5V单片机驱动mos管电（diàn）路之前（qián），先了（le）解一下单片（piàn）机（jī）驱动mos管电路图（tú）及原理，单片（piàn）机（jī）驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西，要只是一个继电器之类（lèi）的（de）小负载的话直接用51的引脚（jiǎo）驱动就可以，要（yào）注意电（diàn）感（gǎn）类负（fù）载（zǎi）要加保护（hù）二极管和吸收（shōu）缓冲，最（zuì）好用N沟道（dào）的MOS。

如（rú）果驱动（dòng）的东西(功率)很大，(大电流、大电压的场合)，最好要做电气（qì）隔离、过流超（chāo）压保护、温度（dù）保（bǎo）护等……此时既要隔离传送控（kòng）制信号(例如PWM信号（hào）)，也要给驱动级（jí）(MOS管的推动（dòng）电路)传送电能。常用的信号传送有PC923 PC929 6N137 TL521等至于电能的传送（sòng）可以用DC-DC模块。如果是做产品（pǐn）的话建议自己搞一（yī）个建议的DC-DC，这样（yàng）可以降（jiàng）低成本。然后MOS管（guǎn）有一种简（jiǎn）单的驱动方式:2SC1815+2SA1015，NPN与PNP一个用（yòng）于MOS开启驱动，一个（gè）用于MOS快速关断。
图一（yī）：适合开关（guān）频率不（bú）高（gāo）的（de）场（chǎng）合，一般低于2KHz。

其中R1=10K，R2、R3大小由V+决定，V+越（yuè）高，R2、R3越大（dà），以保（bǎo）证电（diàn）阻及三（sān）极（jí）管（guǎn）功耗（hào）在允许（xǔ）范（fàn）围，同时保证（zhèng）R2和R3的分压VPP=V+ 减10V，同时V+不能大于40V。

补（bǔ）充（chōng）：图（tú）二：适合高频大功率场（chǎng）合，到达100KHz没问（wèn）题（tí），同（tóng）时可以并联多个MOSFET-P管

R2、R3需要满足和图一一样的（de）条件，其实（shí）就是（shì）图一加了级推挽，这样就（jiù）可以（yǐ）保证MOSFET管（guǎn）高（gāo）速开（kāi）关（guān），上（shàng）面（miàn）6P小电容是发射结结电容（róng）补偿（cháng）电容，可以改善三极管高速开（kāi）关特性。

另（lìng）外：MOSFET的栅极电容较大（dà），在（zài）使用的时候应该把它（tā）当成一个容（róng）抗负（fù）载来看。

MOS管（guǎn）驱动（dòng）电路（lù）

在使用（yòng）MOS管设计开关电（diàn）源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的（de）导通电阻，最（zuì）大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅（jǐn）考（kǎo）虑这（zhè）些因素。这样（yàng）的电路也许是可（kě）以工（gōng）作的，但并（bìng）不（bú）是优（yōu）秀的，作为正（zhèng）式的产品设计（jì）也是不允许的。

MOS管导（dǎo）通特性

导通（tōng）的意思（sī）是作为开关，相当（dāng）于（yú）开（kāi）关（guān）闭合。

NMOS的特性：Vgs大于一定的值（zhí）就会导通，适合（hé）用于（yú）源极接地时（shí）的（de）情况(低（dī）端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性：Vgs小于一定的（de）值就（jiù）会（huì）导通，适合用于源极（jí）接VCC时的情况(高端驱动)。但是（shì），虽然（rán）PMOS可以很方（fāng）便地（dì）用作高端驱动，但由于（yú）导通电（diàn）阻大，价格贵（guì），替换种（zhǒng）类少等原因，在高端（duān）驱（qū）动中（zhōng），通常还是使用NMOS。

MOS开关管损失

MOS管（guǎn）驱动电路不管是NMOS还（hái）是PMOS，导（dǎo）通后都有导（dǎo）通电阻存在，这样电流就会（huì）在这个电（diàn）阻上消耗（hào）能（néng）量，这部分消耗的能量叫做导通（tōng）损耗。选择导通（tōng）电（diàn）阻小的MOS管会减小（xiǎo）导通损耗。现在的小（xiǎo）功（gōng）率MOS管导通（tōng）电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也（yě）有。

MOS在导通和截止（zhǐ）的时候，一定不是（shì）在瞬间完成的。MOS两端的（de）电压有一个下降的过程，流过的（de）电流有一（yī）个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损（sǔn）失（shī）是电压和电流（liú）的乘积，叫做开关损失。通常（cháng）开（kāi）关（guān）损失（shī）比导（dǎo）通损失大得多，而（ér）且开关频率越快（kuài），损失也越大。

导通瞬间电压和电流（liú）的乘积很大，造成（chéng）的损失也就很大。缩短（duǎn）开（kāi）关时间（jiān），可以减小每次导通时的损失;降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减（jiǎn）小（xiǎo）开关损失。

MOS管（guǎn）驱（qū）动

跟双极性晶体管相比，一（yī）般认为使MOS管导（dǎo）通不（bú）需要电流，只要（yào）GS电压高于一定的（de）值（zhí），就（jiù）可以了（le）。这个很容易做到，但是，我（wǒ）们还需要速度。在（zài）MOS管的结构（gòu）中（zhōng）可以（yǐ）看到（dào），在GS，GD之间存在寄生电（diàn）容，而（ér）MOS管的驱动，实（shí）际上就是对电（diàn）容的充放电。对电容的充电需要一（yī）个电流，因为对电容充电瞬（shùn）间可以把（bǎ）电容（róng）看成短路，所以瞬间（jiān）电流会比较大。选择（zé）/设计MOS管驱动时第一要（yào）注意的（de）是可提供瞬（shùn）间短路电流的（de）大小。

MOS管驱动电路第（dì）二注意的是，普遍用于高（gāo）端驱动的NMOS，导通时需（xū）要是栅极电压大（dà）于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时（shí）源极电压与漏极电压(VCC)相同（tóng），所以这时栅极电压（yā）要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到（dào）比VCC大的（de）电压，就要专门的升压电（diàn）路了。很（hěn）多马（mǎ）达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该 选择合适（shì）的外接电容，以（yǐ）得到足够的短（duǎn）路（lù）电流去驱动MOS管。

上边说（shuō）的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时（shí）当然需要有一定的余（yú）量。而且电压（yā）越（yuè）高，导通（tōng）速度越快，导通（tōng）电阻也（yě）越（yuè）小（xiǎo）。现在（zài）也有导通电压更（gèng）小的（de）MOS管用（yòng）在不同（tóng）的（de）领域里，但在12V汽车电子系统里，一（yī）般4V导通就够用了。MOS管（guǎn）的驱动电路及（jí）其损失，可以参（cān）考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers toMOSFETS。讲述得很详（xiáng）细，所以不打算（suàn）多写了。

MOS管应用电路

MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应（yīng）用在需要电子开关的电路中，常见的如开关（guān）电源（yuán）和马达驱动，也有照明调光。

二、现（xiàn）在的MOS驱动，有几个（gè）特别的应用：

1、低压应用当使用5V电（diàn）源（yuán），由于（yú）三极管的be有（yǒu）0.7V左右的压（yā）降，导致实（shí）际（jì）最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候（hòu），我们选（xuǎn）用（yòng）标称（chēng）gate电压4.5V的MOS管就存在（zài）一定的风险（xiǎn）。同样的问题也发生在使用3V或者（zhě）其他低压（yā）电源的场合（hé）。

2、宽电压应用（yòng）输入电压并不（bú）是一个固定值，它会（huì）随着时间或（huò）者（zhě）其他因素而变（biàn）动（dòng）。这个变动导致PWM电路提供给（gěi）MOS管的驱动电压是不稳定的。为了让（ràng）MOS管（guǎn）在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的（de）幅值。在这种情况（kuàng）下（xià），当提供的驱动电压超过（guò）稳（wěn）压管的电（diàn）压，就会（huì）引起较大的静态功耗。同时，如（rú）果简单的用电（diàn）阻分压的原理降低gate电压，就（jiù）会出现输入电（diàn）压比较高的时候，MOS管工作良好（hǎo），而输入（rù）电压降低的时候gate电压不足，引起导通（tōng）不够彻底（dǐ），从而增加功耗。

3、双电压应（yīng）用（yòng）在一些（xiē）控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数（shù）字电压，而功率（lǜ）部分使用12V甚（shèn）至更高的电压。两个电压采用共地方（fāng）式连接。MOS管（guǎn）驱动电路。这就提出一个要求，需要使用（yòng）一个电路，让低压侧能够有（yǒu）效的控制高压侧（cè）的MOS管，同时高压侧的（de）MOS管也同样会面对1和2中提到的（de）问题（tí）。